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晶体管原理

晶体管工作原理，放大电路的性能、设计与应用，射极跟随器的性能与应用电路，小型功率放大电路的设计与应用，功率放大器的设计与制作，共基极电路的性能、设计与应用，视频选择器的设计与制作，共射-共基电路的设计，负反馈放大电路的设计，直流稳定电源的设计与制作，差动放大电路的设计，运算放大电路的设计与制作，下册则共分15章，主要介绍FET、功率MOS
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晶体管工作原理，放大电路的性能、设计与应用，射极跟随器的性能与应用电路，小型功率放大电路的设计与应用，功率放大器的设计与制作，共基极电路的性能、设计与应用，视频选择器的设计与制作，共射-共基电路的设计，负反馈放大电路的设计，直流稳定电源的设计与制作，差动放大电路的设计，运算放大电路的设计与制作，下册则共分15章，主要介绍FET、功率MOS、开关电源电路等。本书面向实际需要，理论联系实际，通过具体的实验，通俗易懂地介绍晶体管电路设计的基础知识晶体管原理什么是晶体管？严格意义上讲，晶体管泛指一切以半导体材料为基础的单一元件，包括各种半导体材料制成的二极管、三极管、场效应管、可控硅等，不过从国内的习惯上讲，晶体管有时多指晶体三极管。晶体管（transistor）是一种固体半导体器件，可以用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制和许多其它功能。晶体管作为一种可变开关，基于输入的电压，控制流出的电流，因此晶体管可做为电流的开关，和一般机械开关（如Relay、switch）不同处在于晶体管是利用电讯号来控制，而且开关速度可以非常之快，在实验室中的切换速度可达100GHz以上。晶体管的主要类型根据晶体管的结构进行分类，晶体管可以分为：NPN型晶体管和PNP型晶体管。 NPN型晶体管和PNP型晶体管的区别如下图所示：根据晶体管使用的半导体材料分类，则晶体管可以分为：硅管和锗管。硅管和锗管的主要区别如下图所示：晶体管原理依据晶体管两个PN结的偏置情况，晶体管的工作状态有放大、饱和、截止和倒置四种。以NPN型晶体管为例，NPN型晶体管的工作原理图及等效电路图如下图所示。晶体管工作在放大状态：发射结正向偏置，集电结反向偏置。放大电路如下图所示。设输入信号ui=UimsinωtV，那么 uBE=ube+UBE； iB=ib+IB； iC=ic+IC； uCE=uce+UCE 其中，uce= - icRC；UCE=VCC-ICRC 由uCE=uce+UCE；uce=-icRC，可知，在RC两端有一个较大的交流分量可共输出；交流信号的传递过程为：ui —>ib—> ic—> icRc 晶体管工作在饱和状态：发射结正向偏置，集电结正向偏置饱和状态的特点为： UCE≤UBE，集电极正向偏置 IC≠βIB，IB失去了对IC的控制。集电极饱和电压降UCES较小，小功率硅管为0.3~0.5V 饱和时集电极电流ICS=(VCC-UCES)/RC UCE对IC的影响大，当UCE增大，IC将随之增加晶体管工作在截止状态：发射结反向偏置，集电结反向偏置。其特点为：发射结反偏；IC=ICBO；IB= - ICBO 晶体管工作在倒置状态：发射结反向偏置，集电结正向偏置其特点为：集电区扩散到基区的多子较少；发射区收集基区的非平衡少数载流子的能力小；晶体管的电流放大系数很小。

更新时间：2017-05-17 11:07