晶体管原理
晶体管工作原理，放大电路的性能、设计与应用，射极跟随器的性能与应用电路，小型功率放大电路的设计与应用，功率放大器的设计与制作，共基极电路的性能、设计与应用，视频选择器的设计与制作，共射-共基电路的设计，负反馈放大电路的设计，直流稳定电源的设计与制作，差动放大电路的设计，运算放大电路的设计与制作，下册则共分15章，主要介绍FET、功率MOS
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晶体管原理
晶体管工作原理，放大电路的性能、设计与应用，射极跟随器的性能与应用电路，小型功率放大电路的设计与应用，功率放大器的设计与制作，共基极电路的性能、设计与应用，视频选择器的设计与制作，共射-共基电路的设计，负反馈放大电路的设计，直流稳定电源的设计与制作，差动放大电路的设计，运算放大电路的设计与制作，下册则共分15章，主要介绍FET、功率MOS、开关电源电路等。本书面向实际需要，理论联系实际，通过具体的实验，通俗易懂地介绍晶体管电路设计的基础知识 晶体管原理 什么是晶体管？ 严格意义上讲，晶体管泛指一切以半导体材料为基础的单一元件，包括各种半导体材料制成的二极管、三极管、场效应管、可控硅等，不过从国内的习惯上讲，晶体管有时多指晶体三极管。 晶体管（transistor）是一种固体半导体器件，可以用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制和许多其它功能。晶体管作为一种可变开关，基于输入的电压，控制流出的电流，因此晶体管可做为电流的开关，和一般机械开关（如Relay、switch）不同处在于晶体管是利用电讯号来控制，而且开关速度可以非常之快，在实验室中的切换速度可达100GHz以上。 晶体管的主要类型 根据晶体管的结构进行分类，晶体管可以分为：NPN型晶体管和PNP型晶体管。 NPN型晶体管和PNP型晶体管的区别如下图所示： 根据晶体管使用的半导体材料分类，则晶体管可以分为：硅管和锗管。 硅管和锗管的主要区别如下图所示： 晶体管原理 依据晶体管两个PN结的偏置情况，晶体管的工作状态有放大、饱和、截止和倒置四种。 以NPN型晶体管为例，NPN型晶体管的工作原理图及等效电路图如下图所示。 晶体管工作在放大状态：发射结正向偏置，集电结反向偏置。 放大电路如下图所示。 设输入信号ui=UimsinωtV，那么 uBE=ube+UBE； iB=ib+IB； iC=ic+IC； uCE=uce+UCE 其中，uce= - icRC；UCE=VCC-ICRC 由uCE=uce+UCE；uce=-icRC，可知，在RC两端有一个较大的交流分量可共输出；交流信号的传递过程为：ui —>ib—> ic—> icRc 晶体管工作在饱和状态：发射结正向偏置，集电结正向偏置 饱和状态的特点为： UCE≤UBE，集电极正向偏置 IC≠βIB，IB失去了对IC的控制。 集电极饱和电压降UCES较小，小功率硅管为0.3~0.5V 饱和时集电极电流ICS=(VCC-UCES)/RC UCE对IC的影响大，当UCE增大，IC将随之增加 晶体管工作在截止状态：发射结反向偏置，集电结反向偏置。 其特点为：发射结反偏；IC=ICBO；IB= - ICBO 晶体管工作在倒置状态：发射结反向偏置，集电结正向偏置 其特点为：集电区扩散到基区的多子较少；发射区收集基区的非平衡少数载流子的能力小；晶体管的电流放大系数很小。
更新时间：2017-05-17 11:07
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